Back داون كانغ Arabic ডাওন কাহং Bengali/Bangla Dawon Kahng BS Dawon Kahng German Dawon Kahng English Dawon Kahng Spanish داوون کانگ Persian Dawon Kahng French Dawon Kahng ID ダウォン・カーン Japanese
| Biografia | |
|---|---|
| Naixement | 4 maig 1931  Seül (Corea del Sud) |
| Mort | 13 maig 1992 (61 anys) New Brunswick (Nova Jersey) |
| Dades personals | |
| Formació | Universitat Estatal d'Ohio |
| Activitat | |
| Ocupació | enginyer |
Premis
| |
Dawon Kahng (4 de maig de 1931 - 13 de maig de 1992) va ser un enginyer elèctric i inventor coreà-americà, conegut pel seu treball en electrònica d'estat sòlid. El 1959, va inventar juntament amb Mohamed Atalla el MOSFET (transistor d'efecte de camp de metall-òxid-semiconductor) també conegut com a "transistor MOS". Atalla i Kahng van desenvolupar processos per a la fabricació del dispositiu semiconductor MOSFET tant en tecnologia PMOS com NMOS. El MOSFET és el tipus de transistor més utilitzat avui dia i l'element bàsic en la majoria d'equips electrònics moderns.
Atalla i Kahng van proposar més tard el concepte del circuit integrat MOS, i a principis dels anys 60, van fer un treball pioner en els díodes Schottky i els transistors a base de mano-layers (nano-capes). El 1967 Kahng va inventar juntament amb Simon Sze, el "MOSFET de porta flotant" (floting gate MOSFET) . Kahng i Sze van proposar que el FGMOS es pogués utilitzar com a cèl·lules de memòria flotant en el tipus de memòria no volàtil (NVM) i la memòria de només lectura (ROM) reprogramable, que es va convertir en la base de les EPROM (ROM programable esborrable), les EEPROM (ROM programable esborrable elèctricament) i les tecnologies de memòria flash. Kahng va entrar a la National Inventors Hall of Fame el 2009.